四靶磁控濺射鍍膜儀帶過渡倉可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等詳情介紹：

四靶磁控濺射鍍膜儀是我公司自主研發(fā)的一款高性價比磁控濺射鍍膜設(shè)備，具有標(biāo)準(zhǔn)化、模塊化、可定制化的特點。磁控靶有1英寸2英寸3英寸4英寸可以選擇，客戶可以根據(jù)所鍍基板的大小自主選購；所配電源為500W直流電源和500W射頻電源，直流電源可用于金屬薄膜的制備，射頻電源可用于非金屬膜的制備，四個靶可以滿足多層或者多次鍍膜的需要。若客戶有其他鍍膜需要，可以定制其他射頻電源和脈沖電源，各型電源均有300W到1000W多種規(guī)格可選.

設(shè)備具有主腔室和過渡艙兩部分，過渡艙配有磁力推桿，兩個艙室之間裝有真空閘板閥；用戶可以在主腔室進行濺射工作的同時，在過渡艙裝填樣品，并進行真空預(yù)抽，待主腔室濺射完成后即可將樣品通過磁力推桿推入主腔室的樣品臺。這樣的設(shè)計能夠減少主腔室抽放真空的次數(shù)，不僅能有效節(jié)省時間，更能保證更好的本地真空，有效提高鍍膜質(zhì)量
四靶磁控濺射鍍膜儀可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。該四靶磁控濺射鍍膜儀與同類設(shè)備相比，其不僅應(yīng)用廣泛，且具有體積小便于操作的優(yōu)點，是一款實驗室制備材料薄膜的理想設(shè)備高真空環(huán)境，整個蒸發(fā)過程在高真空環(huán)境中進行，確保了蒸發(fā)原子或分子直接到達(dá)基板，避免了空氣中雜質(zhì)的污染，提高了薄膜的質(zhì)量。高真空條件還有助于減少蒸發(fā)材料的氧化，進一步提升了薄膜的純度和性能。
四靶磁控濺射鍍膜儀帶過渡倉技術(shù)參數(shù):