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三溫區(qū)PECVD氣相沉積石墨烯制備系統(tǒng)
簡要描述:

三溫區(qū)PECVD氣相沉積石墨烯制備系統(tǒng)用于制備石墨烯,是一種 “低溫、直接生長" 的技術(shù)。它尤其適合在非金屬基底(如絕緣襯底)上生長石墨烯,避免了從金屬催化劑轉(zhuǎn)移的復(fù)雜過程

  • 產(chǎn)品型號:CY-PECVD50-1200-Q
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間:2025-11-17
  • 訪  問  量:395

詳細(xì)介紹

品牌CYKY

三溫區(qū)PECVD氣相沉積石墨烯制備系統(tǒng)由等離子發(fā)生器,三溫區(qū)管式爐、射頻電源、真空系統(tǒng)組成。等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行,利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng),因而這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD), 該P(yáng)ECVD石墨烯薄膜制備設(shè)備借助13.56Mhz的射頻輸出等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在真空腔體內(nèi)形成等離子體,利用等離子的強(qiáng)化學(xué)活性,改善反應(yīng)條件,利用等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng),在基片上沉積出所期望的薄膜。

三溫區(qū)PECVD氣相沉積石墨烯制備系統(tǒng)

 


三溫區(qū)PECVD應(yīng)用范圍:

等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)可以用于:石墨烯制備、硫化物制備、納米材料制備等多種試驗(yàn)場所??稍谄瑺罨蝾愃菩螤顦悠繁砻娉练eSiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜,并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。廣泛應(yīng)用于刀具、高精模具、硬質(zhì)涂層、高duan裝飾等領(lǐng)域 

三溫區(qū)PECVD氣相沉積石墨烯制備系統(tǒng)技術(shù)參數(shù):

產(chǎn)品名稱  

三溫區(qū)PECVD  

產(chǎn)品型號  

CY-PECVD50-1200-Q  

三溫區(qū)管式爐  

工作溫度:0-1100℃  

控溫精度:±1℃  

控溫方式:AI-PID   30段工藝曲線,可存儲多條  

爐管材質(zhì):高純石英  

爐管尺寸:φ50mm   I.D x 1400mm L  

加熱溫區(qū):三溫區(qū) 200mm+200mm+200mm  

密封方式:不銹鋼真空法蘭  

極限真空度:4.4E-3Pa  

射頻電源  

輸出功率:0-300W zui大可調(diào)±1%  

RF頻率: 13.56MHz,穩(wěn)定性±0.005%  

噪聲:≤55DB  

冷卻:風(fēng)冷  

質(zhì)量流量計(jì)  

三路質(zhì)量流量計(jì)  

閥門類型:不銹鋼針閥  

氣路數(shù)量:三路  

承壓范圍:-0.15Mpa~0.15Mpa  

量程  

1~200 SCCM  

1~200 SCCM  

1~500 SCCM   

流量控制范圍:±1.5%  

氣路材料:304不銹鋼  

管道接口:6.35mm卡套接頭  

真空系統(tǒng)  

配有一套分子泵系統(tǒng),采用一鍵式操作  

600L/S  

水冷系統(tǒng)  

CW-3200  

電壓  

220V 50HZ  

 

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