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PEALD等離子增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)是一種的薄膜沉積技術(shù)，結(jié)合了等離子體和原子層沉積（ALD）的優(yōu)點(diǎn)，以實(shí)現(xiàn)更高的薄膜質(zhì)量、更低的沉積溫度和更廣泛的材料兼容性。PEALD系統(tǒng)在微電子、光電器件、表面工程等領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用

三溫區(qū)PECVD氣相沉積石墨烯制備系統(tǒng)用于制備石墨烯，是一種 “低溫、直接生長(zhǎng)” 的技術(shù)。它尤其適合在非金屬基底（如絕緣襯底）上生長(zhǎng)石墨烯，避免了從金屬催化劑轉(zhuǎn)移的復(fù)雜過(guò)程

晶圓鍍膜設(shè)備PECVD氣相沉積在超大規(guī)模集成電路、光電器件、MEMS等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用

熱陰極直流等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（DCCVD）是在常規(guī)冷陰極輝光放電基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，主要用于金剛石單晶或多晶膜的沉積生長(zhǎng)

本產(chǎn)品為PECVD?旋轉(zhuǎn)等離子加強(qiáng)CVD系統(tǒng)。PECVD-R?旋轉(zhuǎn)等離子加強(qiáng)CVD設(shè)備十分適合在氣氛保護(hù)的環(huán)境下連續(xù)對(duì)粉末材料用CVD方法進(jìn)行包裹和修飾。

PECVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)采用等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，能夠利用高能量等離子體促進(jìn)反應(yīng)過(guò)程，有效提升反應(yīng)速度，降低反應(yīng)溫度